Компания Samsung представила первое в отрасли хранилище UFS 5.0 – встраиваемую флеш-память для мобильных устройств с последовательным чтением до 10,8 ГБ/с и записью до 9,5 ГБ/с. Оба показателя более чем вдвое выше, чем у прошлого стандарта UFS 4.1. Новинка ориентирована на локальный ИИ: чем крупнее языковые модели, запускаемые прямо на устройстве, тем больше данных приходится перемещать между накопителем, оперативной памятью и нейропроцессором. Массовое производство стартует в четвёртом квартале 2026 года, ёмкость – до 1 ТБ. По данным утечек, память может дебютировать в серии Galaxy S27.
Последовательное чтение до 10,8 ГБ/с
UFS 5.0 построен на девятом поколении памяти V-NAND и опирается на новейший стандарт встраиваемой памяти консорциума JEDEC. Последовательное чтение достигает 10,8 ГБ/с, запись – 9,5 ГБ/с; по заявлению Samsung, это самые высокие скорости среди мобильных накопителей. Для сравнения: у предыдущего поколения UFS 4.1 последовательное чтение составляет около 4300 МБ/с, а запись – около 4100 МБ/с, то есть новый стандарт быстрее более чем вдвое. На практике это ускоряет запуск приложений, перенос файлов и обработку данных при локальной работе ИИ-моделей – без обращения к серверу.
UFS (Universal Flash Storage) – стандарт встраиваемой флеш-памяти для смартфонов, планшетов и других мобильных устройств; его спецификации разрабатывает консорциум JEDEC. UFS пришёл на смену устаревшему интерфейсу eMMC и обеспечивает более высокие скорости чтения и записи.
Энергоэффективность выше на 40%, корпус меньше на 16,7%
Энергоэффективность UFS 5.0 более чем на 40% выше, чем у UFS 4.1. Прирост достигнут за счёт двух приёмов – тактового стробирования (clock gating) и технологии нескольких напряжений (multi-voltage). Оба приёма сокращают расход энергии на передачу того же объёма данных, благодаря чему снижается нагрев и растёт время автономной работы.
Тактовое стробирование (clock gating) – приём энергосбережения в цифровых микросхемах: тактовый сигнал отключается от тех блоков чипа, которые в данный момент простаивают. Без переключений эти блоки не расходуют динамическую энергию.
Технология нескольких напряжений (multi-voltage) – подача на каждый узел микросхемы только того напряжения, которое ему необходимо. Это снижает энергопотребление и тепловыделение по сравнению с единым уровнем питания для всей схемы.
Корпус чипа уменьшился до 7,5 x 13 x 0,9 мм и стал на 16,7% компактнее предшественника. За счёт меньшего форм-фактора у производителей появляется больше свободы при компоновке внутренних компонентов смартфонов, носимых устройств и гарнитур расширенной реальности (XR).
Массовое производство в четвёртом квартале 2026 года
Серийный выпуск UFS 5.0 намечен на четвёртый квартал 2026 года, ёмкость составит до 1 ТБ. Применение в Samsung видят во флагманских смартфонах, гарнитурах XR и носимых устройствах с ИИ.
Поводом для разработки в компании называют перенос генеративного ИИ из облака на устройство. Когда модель работает локально, накопитель из простого хранилища данных превращается в инфраструктуру для вычислений: чем быстрее память, тем ниже задержка и быстрее отклик при запуске больших языковых моделей.
Galaxy S27 и процессор Exynos 2700
Ранее в Samsung официально подтвердили разработку процессора Exynos 2700: президент подразделения System LSI Пак Ён Ин сообщил, что работа идёт по плану, а чип ориентирован на смартфоны высшего ценового сегмента. Конкретные модели не названы, но флагманские процессоры Samsung традиционно дебютируют в линейке Galaxy S – поэтому Exynos 2700 связывают именно с серией Galaxy S27, выход которой ожидается в начале 2027 года.
По словам инсайдера Ice Universe, Exynos 2700 будет работать как с UFS 5.0, так и с оперативной памятью LPDDR6, а нейропроцессор (NPU) станет заметно мощнее – для запуска более крупных ИИ-моделей прямо на устройстве. Всё это прогноз, а не подтверждённые характеристики.
Отдельно в Samsung подтвердили изменение компоновки Exynos 2700: процессор и оперативная память (DRAM) разместятся рядом на общей подложке, а теплоотводящий блок Heat Path Block накроет оба компонента. В нынешнем Exynos 2600 этот блок охлаждает преимущественно процессор, тогда как память сильнее нагревается.
Что изменится для пользователей
UFS 5.0 – это прежде всего задел для локального ИИ: быстрый накопитель ускоряет обмен данными при работе языковых моделей без подключения к сети. Для владельцев флагманов это обернётся более отзывчивым интерфейсом, меньшим нагревом и более длительной автономностью за счёт энергоэффективности. Реальные устройства с UFS 5.0 появятся не раньше 2027 года: массовое производство только начнётся в конце 2026-го, а первым кандидатом на внедрение считается серия Galaxy S27.